▲ 사진/삼성전자 제공

[우성훈 기자]삼성전자가 세계 최초로 차세대 낸드 인터페이스 기술을 적용한 ‘256기가비트(Gb) 5세대 V낸드’ 메모리 제품의 양산 체제에 들어간다.

삼성전자는 10일 “5세대 V낸드에 자체 개발한 3대 혁신기술을 이용해 ‘3차원 CTF 셀’을 90단 이상 쌓는 세계 최고의 적층 기술을 상용화했다”고 밝혔다. 이를 통해 본격 양산되는 5세대 V낸드는 차세대 낸드 인터페이스인 ‘토글(Toggle) DDR 4.0 규격’을 처음 적용한 제품으로, 초당 데이터 전송 속도가 4세대와 비교했을 때 1.4배 수준에 이른다.

메모리 셀의 단층을 피라미드 모양으로 쌓은 뒤 최상단에서 최하단까지 수백㎚(나노미터) 직경의 미세한 구멍을 뚫는 방식으로 데이터 저장용 3차원 CTF 셀을 850억 개 이상 만드는 첨단 기술이 적용됐됐다. 특히 단수와 비례해 높아지는 셀 영역의 높이를 20% 낮추는 독창적인 기술을 개발해 생산성도 4세대 제품보다 30% 이상 높였다고 삼성전자 측은 설명했다.

한편, 삼성전자는 지난 2013년 7월 1세대 128Gb MLC 3D V낸드 양산을 시작으로 2014년 8월 2세대 128Gb 3비트 3D V낸드, 2015년 3세대 256Gb 3비트 V낸드 등을 잇달아 개발.양산했다. 이번 세계 최초의 5세대 V낸드 양산은 2016년 12월에 4세대 256Gb 3비트 3D V낸드 양산에 돌입한 지 약 1년 7개월 만이다.